5-5 : پيشنهادها64
پيوست : مقاله
فصل اول
مقدمهاي بر پديده ترموالکتريک
1-1 : مقدمه
اثر ترموالکتريک1 عبارت است از: توليد جريان الكتريكي دريک رسانا به سبب اختلاف دما بين دو نقطه در آن. Thermoاز واژهي يوناني thermos به معني گرما گرفته شده و electric صفت نسبي Electricity به معني برق است. ترموالکتريسيته، همانطور که از نام آن بر مي‌آيد، به پديده‌هايي اشاره دارد که انرژي گرمايي والکتريسيته را شامل ميشود.
در سال 1821 دانشمندي به نام سيبک1 اولين گزارش مربوط به مشاهدات اثرات ترموالکتريکي را به فرهنگستان علوم پروسيان2 ارائه کرد. وي با گرم کردن محل اتصال دو رساناي نامتجانس توانسته بود بين دو سر ديگر آنها يک اختلاف پتانسيل ايجاد کند. علي رغم اينک سيبک فهم کاملي از اين آزمايشات نداشت و نمي توانست اين اثرات را به خوبي توجيه کند، اما توانست اثرات ترموالکتريکي را در رساناهاي مختلف ديگر مشاهده کند.
13 سال بعد، يک ساعت ساز فرانسوي به نام پلتيه3 نتايج کم و بيش مشابهي را ارائه کرد و دومين اثر ترموالکتريکي را کشف نمود. او نشان داد که هر گاه جريان الکتريکي از محل اتصال دو رساناي متفاوت عبور داده شود، بسته به جهت جريان، فرآيند جذب يا توليد گرما انجام ميشود. بايد توجه داشت که اين اثر کاملاً با اثر گرما مقاومتي ژول تفاوت دارد. پلتيه هم همانند سيبک به طور کامل نتوانست ماهيت فيزيکي نتايج بدست امده را توضيح دهد،اما در سال 1838، لنز4 نشان داد که آب در محل اتصال بيسموت- آنتيموان ميتوانست يخ ببندد و چنانچه جهت جريان عوض ميشد يخ توليد شده ذوب ميشد.
تامسون5 که بعداً به لرد کلوين معروف شد، متوجه شد که ميبايست بين اثر سيبک و اثر پليته ارتباط وجود داشته باشد. او توانست اين ارتباط را با استفاده از مباحث مربوط به ترموديناميک مشخص و نتيجهگيري کند که بايد يک اثر سوم ترموالکتريکي (که امروزه به اثر تامسون معروف است) نيز موجود
باشد. اين اثر سوم ترموالکتريکي بدين معني است که فرايند گرمايش يا سرمايش ميتواند در رساناي همگن اتفاق بيافتد، اگر يک جريان الکتريکي در جهت گراديان دمايي در آن وجود داشته باشد.
علي رغم اين واقعيت که اثرات ترموالکتريکي براي مدت زمان طولاني شناخته شده است اما استفاده عملي از اين اثرها تنها در چند دهه گذشته با ساخت ترموکوپل براي اندازه گيري دما و مجوعهاي از ترموکوپل به نام ترموپايل براي آشکارسازي انرژي تابشي انجام شد. در هر دو وسيله فوق از اثر سيبک استفاده ميشود که در آن توليد الکتريسيته توسط گرما انجام ميشود. در ابتدا ترموکوپلهاي ساخته شده داراي حساسيت بسيار پايين بودند اما امروزه با پيشرفت فن آوري ساخت مدار بهتر، حساسيت اين ابزارها بسيار بالاست.
نظريه اساسي مربوط به توليد و فرايند سرد سازي اولين بار به طور رضايت بخشي توسط آلتن کرش1 مطرح شد. او نشان داد که براي مقاصد کاربردي مواد مورد استفاده ميبايست داراي ضريب ترموالکتريکي بالا باشند. ضمناً لازم بود که رسانندگي الکتريکي آنها نيز بالا باشد تا گرماي ژول کمينه باشد. ويژگي سوم اين مواد آن است که بايد داراي رسانندگي گرمايي پاييني باشند تا افت انتقال گرما در آنها کم باشد.به هر حال شناخت ويژگيهاي مواد و کشف موادي که داراي خصوصيات بالا باشند خود مسالهاي پيچيده بود و محققان زيادي براي دستيابي به چنين موادي تحقيقات زيادي انجام دادند که نتيجه آن دستيابي به مواد نيمرسانا به جاي رسانا، بود که اثرات ترموالکتريکي را به صورت بهتر در مقايسه با رساناها از خود نشان ميدهند. امروزه استفاده از چنين موادي امکان ساخت مدارها و سرد کنندههاي ترموالکتريکي با راندمان بالا را ممکن ساخته است.
1-2 : اثر سيبک
همان طور که قبلا اشاره شد، اثر سيبك توسط توماس جان سيبك ( 1770-1831) دانشمند آلماني در سال ???? كشف شد.
مطابق شكل (1-1) سيبك دو ميلهي مس و بيسموت را به هم متصل كرد و موازي با ميلهها عقربهي مغناطيسي را قرار داد تا بتواند آزادانه حول محور قائمي بچرخد.
شکل (1-1): طرح گونه اي از آزمايش سيبک[1].
هنگامي كه يك محل اتصال دو فلز به وسيلهي شعله گرم ميشد، انحراف عقربهي مغناطيسي عبور جريان الکتريکي را در مدار نشان ميداد. سيبك اين آزمايش را با فلزهاي متفاوت تكراركرد و نتيجه گرفت كه هرگاه اتصا لهاي دو فلز ناهمجنس در دماهاي متفاوت قرار گيرند نيروي محرك الكتريكي (e.m.f) در مدار توليد ميشود[1].
پس اگر ماده‌اي که حاوي الکترونهاي آزاد است در معرض جريان گرمايي قرار بگيرد به طوري که اختلاف دماي T)?) در دو طرف آن ايجاد شده، در اين صورت با يک اختلاف پتانسيل مدار باز (V?)
روبرو خواهيم شد. براي يک جسم همگن و اختلاف دماي کوچک، رابطه ميان اختلاف پتانسيل (V?) و اختلاف دما(T?)، چنين است [2و3و4]:
(1-1)
که در آن،S، ضريب ترمو الکتريک 1يا ضريب سيبک 2ناميده مي‌شود. نام اخير براي نيمرساناها متداول شده است. بدين ترتيب توان گرمايي بيان کننده بزرگي ولتاژ ترموالکتريکي ايجاد شده در مقابل اختلاف دماي موجود در ماده مي باشد. يکاي ضريب سيبک ولت بر کلوين (V/K) است، اما معمولا اين ضريب بر حسب ميکرو ولت بر کلوين بيان ميشود و مقاديري بر حسب صدها ميکرو ولت بر کلوين، منفي و يا مثبت، نشان دهنده يک ماده ترموالکتريک خوب است. با استفاده از رابطه(1-1)، مي‌توان به معادله کلي‌تر زير رسيد[5]:
(1-2)
1-2-1 : عدد شايستگي3
عدد شايستگي يک قطعه با رابطه زير بيان ميشود[6و7]:
(1-3) ? / ?2S = Z
که درآنS ضريب سيبک، ? رسانندگي الکتريکي4و? رسانندگي گرمايي5 قطعه ترموالکتريک مي باشد. معمولادر محاسبات از کميت بدون بعد عدد شايستگي استفاده مي شودکه با ضرب طرفين رابطه(1-3)
در T، به دست مي آيد.از رابطه(1-3)واضح است که يک ماده ترموالکتريک خوب بايد داراي ويژگي هاي زير باشد :
1- رسانندگي گرمايي پايين
2- رسانندگي الکتريکي بالا ( مقاومت الکتريکي پايين )
اين پارامترها هر دو وابسته به دما هستند و بنابراين مقدار عدد شايستگي به دما وابسته است. مواد نيمرساناي نوع n و p نيز داراي مقدير متفاوت عدد شايستگي هستند.
به منظور افزايش کميت بدون بعد عدد شايستگي، بايد ضريب سيبک و رسانندگي الکتريکي را افزايش و مقدار رسانندگي گرمايي را حتي الامکان کاهش دهيم. الکترونها و ارتعاشات شبکه هر دو در رسانندگي گرمايي مشارکت دارند[8]. در اين ميان مادهاي به لحاظ ترموالکتريکي خوب است که مشارکت الکترونها در رسانندگي گرمايي کم باشد.
بنا بر قانون ويدمان – فرانتز1 داريم :
(1-4)
مشارکت الکترونها در رسانندگي گرمايي در يک دماي مشخص مقداري ثابت است[9]. لازم به ذکر است که اين قانون در مورد گاز الکترون آزاد صادق مي باشد.
1-2-2 : نحوه عملکرد يک قطعه ترموالکتريک
با ايجاد اختلاف دما در دو سر يک قطعه، حاملهاي بار (الکترون يا حفره) به تحرک واداشته ميشوند و شارش بار الکتريکي را از ناحيه گرم به سرد خواهيم داشت. (همانند يک گاز کلاسيکي که در هنگام گرم شدن منبسط ميگردد). با مهاجرت حاملهاي بار به ناحيه گرم و باقي ماندن بارها و يا يونهاي سنگين با علامت مخالف در ناحيه سرد، ولتاژ ترموالکتريکي ايجاد ميشود.
اثر سيبک به دو عامل مهم بستگي دارد، يکي نفوذ يا انتشار حاملهاي بار1 و ديگري فونونها2.
* نفوذ حامل هاي بار:
هنگامي که اختلاف دما در دو سر يک قطعه رسانا وجود داشته باشد، حاملهاي بار (الکترونها در فلزات و الکترون و حفره در نيمرساناها )، شروع به حرکت مي کنند. از آنجا که چگالي حاملها در ناحيه سرد کم است، حاملهاي بار به آن نقطه سوق داده مي شوند. در يک سيستم ترموالکتريکي که هر دو انتهاي قطعه در يک دما نگاه داشته مي شود، جريان گرمايي ثابتي در طول قطعه بوجود آمده و تحرک يکسان حاملها را شاهد خواهيم بود. اگر ميزان حاملهاي بار در دو سو يکسان باشد، جريان خالصي هم نخواهيم داشت.
حاملهاي بار متحرک، توسط ناخالصي ها3، ناکامليها4 و ارتعاشات شبکه5 (فونون) پراکنده مي شوند. اگر پراکندگي وابسته به انرژي باشد، آنگاه حاملهاي سرد و گرم با ميزان متفاوتي پراکنده مي شوند، که اين مسئله منجر به افزايش چگالي حاملها در يک سوي ماده مي شود. فاصله بين حاملهاي بار مثبت و منفي سبب ايجاد اختلاف پتانسيل مي شود، و اين ميدان الکتريکي ايجاد شده با پراکندگي نا همگون حاملهاي بار مخالفت مي کند. بدين ترتيب، به واسطه ايجاد ميدان الکتريکي حاملهاي بارخالصي که در جهات مختلف در حرکتند، اثر يکديگر را خنثي نموده و سيستم به تعادل مي رسد[5].
* فونونها
فونونها کوانتوم ارتعاشات شبکه هستند. در شکل(1-2)،طرح گونه اي ازحرکت الکترونها و فونونها درطول يک قطعه از سيم نشان داده شده است.
شکل (1-2): طرح گونه اي از حرکت الکترونها و فونونها در يک قطعه سيم
الکترونها رسانندگي الکتريکي و فونونها رسانندگي گرمايي را به عهده دارند. در قطعه ترموالکتريکي خوب مشارکت الکترونها در رسانندگي گرمايي کم است. هنگامي که يک انتهاي قطعه گرم ميشود، شارشي از الکترونها به طرف ناحيه سرد شکل ميگيرد. فونونها نيز در اين فرآيند به دوصورت عمل ميکنند. فونونها در شبکه بلوري با ساير فونونها، الکترونها و ناکامليها برخورد ميکنند. اگر اين برخورد با الکترون صورت پذيرد، انرژي جنبشي فونون به الکترون منتقل شده و بنابراين رسانندگي الکتريکي افزايش مي يابد. چنانچه انرژي جنبشي فونونها به ساير فونونها منتقل شود، رسانندگي گرمايي افزايش مي يابد. در دماهاي پايين ارتعاشات شبکه بسيار کم است، بنابراين در چنين دماهايي بايد رسانندگي گرمايي الکترونها را کنترل کرد تا بتوان به ضريب ترموالکتريک بالا دست پيدا کرد[10].
1-2-3 : کاربرد اثر سيبک
کوششهايي که در بکار گيري اثر سيبک در اختلاف دماهاي معمولي يا مهار شده، به منظور ساختن منابع ولتاژ، انجام شده‌اند موفقيت محدودي داشته‌اند. متداولترين کاربرد اثر سيبک را در ساخت ترموکوپل1 مي‌بينيم. در ترموکوپلهاي اوليه از فلزات استفاده ميشد، اما با گسترش فنآوري، امروزه با ايجاد پيوند قطعات نيمرساناي نوع n و نوع p، با يک قطعه فلزي ترموکوپل ساخته ميشود. براي دستيابي به ولتاژ خروجي بالاتر بايد از مجموعهاي از ترموکوپلها به صورت متوالي، که آنرا ترموپايل2 مينامند، در مدار استفاده نمود. در ديودهاي گرمايي و ژنراتورهاي الکتريکي نيز از اثر سيبک استفاده شده است.
1-2-4 : تعيين ماده ترموالکتريک مناسب

در این سایت فقط تکه هایی از این مطلب با شماره بندی انتهای صفحه درج می شود که ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت کلمات به هم بریزد یا شکل ها درج نشود

شما می توانید تکه های دیگری از این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

ولی برای دانلود فایل اصلی با فرمت ورد حاوی تمامی قسمت ها با منابع کامل

اینجا کلیک کنید

ضريب ترموالکتريک يک ماده به دماي ماده و ساختار بلوري آن بستگي دارد. در ذيل به طور مختصر به بررسي ضريب ترموالکتريک در مواد رسانا، ابررسانا، عايق و نيمرسانا ميپردازيم.
1- مواد رسانا ( فلزات ): فلزات داراي ترازهاي انرژي نيمه پرهستند. در اثر گراديان دمايي، هر دو حامل بار ( الکترون و حفره ) در ايجاد ولتاژ ترموالکتريکي مشارکت داشته و بنابر اين اثر يکديگر را خنثي کرده و باعث کم شدن ضريب ترموالکتريک ميشوند. از طرفي در ساختارهاي فلزي الکترونها هم در رسانندگي الکتريکي و هم در رسانندگي گرمايي سهيم اند، بنابراين در رابطه (1-3) صورت و مخرج کسر اثر يکديگر را خنثي کرده و ضريب ترموالکتريک کاهش مي يابد.
2- مواد ابررسانا : اين مواد داراي ضريب ترموالکتريک صفرند.
3- مواد عايق : اين مواد داراي ضريب ترموالکتريک بالا و مشارکت بسيار کم الکترون در رسانندگي گرمايي ميباشند. در مقابل چگالي حاملها و رسانندگي الکتريکي کمي دارند که اين سبب کاهش اثر ترموالکتريک در اين مواد ميشود.
4- مواد نيمرسانا : با افزودن ناخالصي به ساختار يک نيمرسانا مي توان ضريب ترموالکتريک اين ماده را ( منفي و يا مثبت که بستگي به نوع ناخالصي اضافه شده دارد ) افزايش داد. بنابراين بهترين گزينه براي ساخت قطعه ترموالکتريک، مواد نيمرسانا هستند[2].
1-3 : اثر پلتيه
اين اثر را ژان شارل آتاناس پلتيه ( ????- ????) فيزيكدان فرانسوي در سال ???? كشف كرد.
شکل (1-3): طرح گونه اي از آزمايش پلتيه[1].
مطابق شكل(1-3) دو سر ميلهاي از بيسموت به دو ميلهي مسي لحيم شده است. محل اتصال بيسموت و مس در مركز دو ظرف قرار دارد و كمي مايع به عنوان نشانهي I هواي اين دو ظرف B1 , B2 را از هم جدا ميکند. هرگاه جريان الکتريکي از سمت چپ به ميله وارد شود، هواي ظرف B1 سرد و هواي
ظرف, B2 گرم ميشود و نشانهI از راست به چپ ميرود. چنانچه جهت جريان را تغيير دهيم، حرکت نشانه I از چپ به راست خواهد بود.
اين آزمايش نشان ميدهد که هرگاه يک جريان الکتريکي از محل اتصال دو فلز ناهمجنس بگذرد، بسته به جهت عبور جريان، در محل اتصال مقداري گرما توليد يا جذب ميشود. اگر در يک اتصال معين جهت جريان بر عكس شود اثرهاي مربوط به توليد يا جذب گرما بر عکس ميشود. اين پديده همان اثر پلتيه است.
اثر پلتيه با اثر ژول، يعني گرم شدن رسانا به وسيله جريان الکتريسيته، تفاوت دارد. در پديده ژول، هيچ بخش رسانا سرد نميشود و اگر جهت جريان الکتريسيته در آن معكوس شود رسانا گرم ميشود. بنابراين از نقطه نظر ترموديناميكي اثر پلتيه فرايندي برگشت پذير و اثر ژول فرايندي برگشت ناپذير است[1].
1-4 : اثر تامسون
همانطور که قبلا گفته شد اثر تامسون را ويليام تامسون فيزيكدان انگليسي( ???? ???? )، در سال ???? پيش بيني و چند سال بعد توسط خودش به طور تجربي تأييد گرديد. اثر تامسون يا اثر كلوين عبارت است از اختلاف پتانسيلي كه بر اثر اختلاف دما بين بخشهاي مختلف به وجود مي آيد. به عبارت ديگر هنگامي كه دو سر يك فلز، دماي متفاوت داشته باشند يك نيروي محرك الكتريكي (e.m.f) در آن توليد ميشود.
1-4-1 :روابط كلوين
ازآنجا كه ضريب سيبك براحتي قابل اندازه گيري است و ازسوي ديگر ضريب پلتيه، ظرفيت خنك كنندگي يك يخچال ترموالكتريك را تعيين ميكند، دانستن ارتباط پديده سيبك و پلتيه داراي اهميت زيادي ميباشد. به منظور تعيين ضرايب ترموالکتريکي از مدارهاي ساده نشان داده شده در شکل (1-4) استفاده مي کنيم.
در شكل(1-4- الف) يک مدار باز وجود دارد که اختلاف پتانسيل (V?) در نتيجه اختلاف دمايي(T?) بين اتصالهاي رساناي a و رساناي b ايجاد شده است. ضريب ديفرانسيلي سيبك به صورت زير تعريف ميشود :
(1- 5)
شكل (1-4 ):(الف)اثر سيبك، (ب)اثر پلتيه و (ج)اثرتامسون[10].
در شكل (1-4- ب) در اثر عبور جريان Iاز محل اتصال دو رساناي a و b ،آهنگ گرماي برگشتپذير توليد گرماQ اتفاق ميافتد. در اين صورت ضريب پلتيه چنين تعريف ميشود :
(1-6)
وبالاخره درشكل(1-4-ج) عبورجريان I در طول بخشي از يك رساناي همگن، كه بين دو سر آن اختلاف دما T? وجود دارد، منجر به آهنگ توليد گرماي برگشت پذير Q? مي شود. ضريب تامسون به صورت زير تعريف مي شود :
(1-7)
روابط كلوين را مي توان بااعمال قوانين ترموديناميك به مدار ساده نشان داده شده در شكل(1-5) ، بدست آورد.
شكل (1-5 ):مدار ساده ترموالكتريك[10].
اين مدار شامل دو رساناي aوb مي باشد که دو سر آنها به يکديگر متصل شده و دما در محل اتصالات T1 و T2 است که در نتيجه آن جريان I شارش مي يابد.بنا بر اصل پايستگي انرژي، گرماي توليد شده بايد با انرژي الكتريكي مصرف شده برابر باشد. اگر جريان الکتريکي به قدر كافي كوچك باشد آنگاه مي توان از گرماي ژول صرفنظر کرد. بنابراين مي توان نوشت :
(1-8)
بامشتق گيري ازرابطه بالا داريم :
(1-9)
به منظور بدست آوردن رابطه دوم بين ضرايب لازم است که از قانون دوم ترموديناميك استفاده کنيم.ضمنا بايد توجه داشت که لازم است فرايند برگشت پذير باشد و لذا مي توان فرض کرد که اثرات ترموالکتريکي برگشت پذيرند. اين مطلب قبلا بر پايه ترموديناميک غير برگشت پذير توجيه شده است. فرض بر اين است که آنتروپي كل در مدار شكل (1-5) ثابت است. بنابراين:
(1-10)
بامشتق گيري از اين رابطه :
(1-11)
باتركيب معادلات(1-10 )و(1-11 )داريم :
(1-12)
اين رابطه را با استفاده از اصول ترموديناميكي نيز مي توان بدست آورد. با اعمال قانون اول ترموديناميك به مدار :
(1-13) WdU=dQ+d
با توجه به آنكه ولتاژ و جريان نسبت به زمان تغيير نمي كنند، وo dU= كار انجام شده توسط سيستم در اين بازه زماني عبارت است از :
(1-14) dW=?Vabdt
وگرماي توليد شده برابراست با :
(1-15)
از طرفي
(1-16) o = WdQ+d
بنابراين
(1-17)
و از آنجا داريم:
(1-18)
با حد گيري از اين رابطه، وقتي كه cTبهhT نزديك مي شود، و تقسيم برdT داريم :
(1-19)
بطوريکه
(1-20)
قانون دوم تغييرات آنتروپي :
(1-21)
از آنجا كه مقدار گرما را برگشت پذير مي دانيم، است، لذا :
و از آنجا داريم:
(1-22)
با توجه به رابطه اول كلوين، دومين رابطه كه ضريب سيبك و تامسون را به يكديگر مربوط مي كند عبارت است از :
(1-23)
هر دو رابطه كلوين از نقطه نظر تجربي براي تعدادي از مواد مورد استفاده در ترموکوپل مورد تاييد قرار گرفته اند.بايد توجه داشت که ضرايب سيبک و پلتيه هر دو براي اتصال دو رسانا تعريف مي شوند، اما ضريب تامسون خاصيتي مربوط به يک تک رسانا است. بنابراين رابطه (1-23)راهي را براي محاسبه ضريب سيبك يك ماده به صورت زير پيشنهاد مي كند.
(1-24)
از قانون سوم ترموديناميك چنين بر مي آيد که ضريب سيبك براي تمام اتصالات در دماي صفر مطلق، صفر است. بنابراين:
(1-25)
بنابراين ضريب سيبك مربوط به يک ماده در دماهاي خيلي پايين و با اتصال آن به يك ابررسانا با توجه به آنكه ضريب سيبك ابررسانا ها صفراست ،بدست مي آيد[10].
فصل دوم
سراميک ها
2-1: مقدمه
سراميک ها موادي را شامل مي شوند که بخش عمده? عناصر تشکيل دهنده? آنها غيرفلزي و غيرآلي هستند.واژه? سراميک از واژه? يوناني کراموس1 گرفته شده‌ که به معني سفال يا شيء پخته شده است. اين تعريف نه ‌تنها سفالينهها، پرسلان(چيني)، ديرگدازها، محصولات رسي سازه‌اي، ساينده‌ها، سيمان و شيشه را در بر مي‌گيرد، بلکه شامل آهنرباهاي سراميکي، لعاب‌ها و سوخت‌هاي هسته‌اي و … نيز مي‌شود. برخي‌ها آغاز استفاده ازسراميک‌ها را در حدود ???? سال ق.م. مي‌دانند در حالي که برخي ديگر قدمت آن را تا ????? سال ق.م نيز دانسته‌اند. اما به هر حال اکثريت تاريخنگاران بر ????? سال ق.م. اتفاق نظر دارند.

2-2 : طبقه‌بندي سراميک‌ها
سراميكها را ميتوان به سه دسته كلي سراميكهاي سنتي، بيوسراميكها و سراميكهاي الكترونيكي يا الكتروسراميكها تقسيمبندي كرد [11].
2-2-1 سراميكهاي سنتي1
سراميكهاي سنتي خود به سه گروه تقسيم ميشوند كه به اختصار آنها را معرفي ميكنيم:
1) مواد نسوز، كه اين مواد داراي مقاومت زياد در برابر دماهاي بالا بوده و در ساختمان كورههاي دماي بالا و همچنين بهعنوان عايقهاي حرارتي از آنها استفاده ميشود. بهعلاوه مقاومت شيميايي اين مواد در مقابل تركيب شدن با موادي كه با آنها در تماسند، نيز از اهميت ويژهاي برخوردار است.
2) لوازم منزل، كه شامل چيني، لوازم بهداشتي و ظروف ميباشند. لوازم منزل معمولاً از مخلوطي از خاك رس فلدسپار2 و فلينت3 ساخته ميشوند. خاكهاي رسي عمدتاً شامل آلمينوسيليكات همراه با آب هيدراسيون و بهصورت دانه دانه ميباشند.
3) سفالها، كاشيها و آجرها كه از خاك رس تهيه ميشوند.
4) سايندهها، از قبيل سيليكن كاربيد و اكسيد آلومينيوم (آلومينا).
2-2-2 بيوسراميكها4


پاسخی بگذارید